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Epitaxial Technology Center
Storia
Sede
95121 Catania Italy - 16a strada - Pantano d’Arci - Contrada Torre Allegra
Tel. 095.748471 - FAX 095.292640
Tel. 095.748471 - FAX 095.292640
Mission
La E.T.C. ha come obiettivo primario quello di diventare leader mondiale nel campo delle tecnologie basate su materiali semiconduttori a larga banda, e di proporsi come fornitore globale per le industrie di semiconduttori, dai reattori alle fette.
Il target di riferimento attuale è costituito dalle industrie produttrici di semiconduttori, cui fornisce componenti per reattori epitassiali (orizzontali e verticali) quali il rack elettronica per il controllo del processo, parti dei generatori di media frequenza ed il Gas Metering (pannello gas per l’alimentazione dei fluidi).
Il target di riferimento attuale è costituito dalle industrie produttrici di semiconduttori, cui fornisce componenti per reattori epitassiali (orizzontali e verticali) quali il rack elettronica per il controllo del processo, parti dei generatori di media frequenza ed il Gas Metering (pannello gas per l’alimentazione dei fluidi).
La E.T.C. (Epitaxial Technology Center) è una società che opera nel settore delle apparecchiature ed impianti per la tecnologia dello stato solido e per il controllo dei processi di produzione.
Da alcuni anni ha rivolto l’attenzione sulle tecnologie epitassiali ed in particolare sulle macchine e sui processi per la produzione di fette epitassiate di nuovi materiali semiconduttori.
Dal 2001, E.T.C. ha indirizzato gli investimenti sulle tecnologie del SiC (Carburo di Silicio) avviando attività di Ricerca sui processi per la crescita epitassiale di SiC su substrati di Carburo di Silicio, raggiungendo risultati unici, grazie anche alle collaborazioni con il centro di ricerca dell’istituto IMM del CNR e del Dipartimento di Fisica dell’Università di Catania.
Da alcuni anni ha rivolto l’attenzione sulle tecnologie epitassiali ed in particolare sulle macchine e sui processi per la produzione di fette epitassiate di nuovi materiali semiconduttori.
Dal 2001, E.T.C. ha indirizzato gli investimenti sulle tecnologie del SiC (Carburo di Silicio) avviando attività di Ricerca sui processi per la crescita epitassiale di SiC su substrati di Carburo di Silicio, raggiungendo risultati unici, grazie anche alle collaborazioni con il centro di ricerca dell’istituto IMM del CNR e del Dipartimento di Fisica dell’Università di Catania.
